在不异封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗下降10%，且无需硅通孔(TSV)工艺便可出产128GB内存模组

此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠基了根本

跟着12纳米级内存产物声势的扩大，三星将延续为AI，下一代计较等多行业的各类利用供给撑持

2023年9月1日，三星公布采取12纳米(nm)级工艺手艺，开辟出其容量最年夜的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星最先量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM以后获得的又一成绩，这巩固了三星在开辟下一代DRAM内存手艺范畴中的地位，并开启了年夜容量内存时期的新篇章。

三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）

"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的根本上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助在知足人工智能和年夜数据时期对年夜容量DRAM内存日趋增加的需求。”三星电子存储器事业部内存开辟组履行副总裁SangJoon Hwang暗示，“我im电竞们将经由过程差别化的工艺与设计手艺，继续研发内存解决方案，以冲破内存手艺的瓶颈。"

三星自1983年开辟出首款64千比特（Kb）的内存以来，在曩昔的40年间将内存容量提高了50万倍。最新开辟的32Gb DDR5内存颗粒，采取前沿的工艺手艺，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒比拟，在不异封装尺寸环境下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。

特别是，曩昔利用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采取硅通孔(TSV)工艺。而此刻，经由过程利用最新开辟的32Gb内存颗粒，即便不利用硅通孔(TSV)工艺也可以或许出产128GB内存模组。与利用16Gb内存封装的128GB内存模组比拟，其功耗下降了约10%。这一手艺冲破使该产物成为数据中间等存眷能效的企业的优选解决方案。

三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（2）

以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为根本，三星打算继续扩充年夜容量内存产物声势，以知足高机能计较和IT行业延续增加的需求。经由过程向数据中间，和采取人工智能和下一代计较等利用的客户供给12纳米级的32Gb内存，三星但愿巩固其鄙人一代内存市场的前沿地位。将来，该产物还将在三星与其他焦点行业火伴的持久合作中阐扬相当主要的感化。

全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM打算在本年年末最先量产。

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